原子層沉積系統(tǒng)，也稱為原子層外延，或原子層化學氣相沉積。

　　原子層沉積系統(tǒng)是在加熱的襯底上連續(xù)引入至少兩個蒸汽前驅體源，當表面飽和時，化學吸附自動終止。合適的工藝溫度會阻礙分子在表面的物理吸附。基本的原子層沉積周期包括四個步驟：脈沖a、清洗a、脈沖b和清洗b，重復沉積周期，直到獲得所需的膜厚，這是制造納米結構以形成納米器件的工具。

　　原子層沉積系統(tǒng)的優(yōu)勢包括：

　　1.通過控制反應循環(huán)次數(shù)，可以控制薄膜厚度，從而達到原子層厚度精度的薄膜；

　　2.由于前驅體被化學吸附飽和，保證生成大面積均勻薄膜；

　　3.可制備優(yōu)良的三維共形化學計量膜，可用作納米多孔材料的階梯覆蓋和涂層；

　　4.可以沉積多組分納米薄層和混合氧化物；

　　5.薄膜生長可以在低溫(室溫至400℃以下)下進行；

　　6.可廣泛應用于各種形狀的基材；

　　7.生長的金屬氧化物薄膜可用于介質、電致發(fā)光顯示絕緣體、電容器電介質和微機電系統(tǒng)器件，生長的金屬氮化物薄膜適用于擴散阻擋層。

　　原子層沉積系統(tǒng)主要特征：

　　1.樣品類型：粉末樣品、旗幟樣品；

　　2.原子層沉積系統(tǒng)可與高真空等系統(tǒng)互聯(lián)；

　　3.腔體發(fā)熱400℃，控溫精度1℃；

　　4.復雜的管道氣體回路，可有八種前驅體、兩種氧化還原氣體回路和三種載氣；

　　5.高溫鼓泡器的*設計可以提高低蒸氣壓固體源的反應效率和重復性；

　　6.原子層沉積系統(tǒng)自動控制系統(tǒng)，可通過自編程實現(xiàn)不同類型ALD樣品的生長；

　　7.模糊算法自整定的PID自動溫度控制；

　　8.全金屬密封，適用于腐蝕性反應；

　　9.實時測量和控制氣體流量和真空度；

　　10.在線原位分析氣體成分；

　　11.原子層沉積系統(tǒng)帶有臭氧發(fā)生器和反應殘渣熱分解裝置。